手機版 | wap版 | 網站主頁 | HOME | 3G網頁
<button id="jqnqz"><acronym id="jqnqz"></acronym></button>

<dd id="jqnqz"></dd>
<button id="jqnqz"></button>
      1. <progress id="jqnqz"></progress>
        <tbody id="jqnqz"><track id="jqnqz"></track></tbody>
        <em id="jqnqz"><tr id="jqnqz"></tr></em>
        侵權投訴

        2019年全球半導體收入下滑11.9% 英特爾、三星和Sk海力士位居前三

        章鷹 2020-01-15 10:34 次閱讀

        1月14日,Gartner發布最新數據顯示,存儲器市場的疲軟表現影響了許多頂級供應商,全球半導體行業在2019年的收入出現了兩位數的下降,2019年全球半導體市場的收入為4183億美元,比2018年下降11.9%。

        Gartner研究副總裁安德魯·諾伍德(Andrew Norwood)表示:「在2019年佔半導體銷售額26.7%的存儲器市場,在2019年的收入下降了31.5%。」「在內存產品中,DRAM收入下降了37.5%,這是由於從2018年底開始的供過於求,這種情況持續到整個2019年。供過於求是由於超大規模市場的需求突然下降造成的。這表明OEM庫存水平過高,導致上半年需要糾正。2019年下半年DRAM供應商的過多庫存推低了價格,導致2019年平均銷售價格(ASP)下降了47.4%。

        內存晶元佔總收入的26.7%,其收入同比下降了3.5%,Gartner分析圓心,顯示DARM和NAND 快閃記憶體市場的「供過於求」以及「價格下降」。記憶體營收整體銳減31.5%。在存儲器領域中,NAND快閃記憶體在2019年的下滑比整體存儲器市場溫和,收入下降23.1%,這歸因於2018年底的庫存水平上升,而2019年上半年的需求疲軟加劇了這種情況。在KIOXIA和Western Digital共同擁有的晶圓廠停電的幫助下,NAND市場於2019年7月開始趨於穩定。停電是清理供應商庫存的催化劑,並促使價格從不可持續的較低水平上漲。Gartner預計,由於固態驅動器(SSD)的採用以及5G智能手機的大量需求,供應位增長緩慢不堪重負,NAND的復甦將在2020年繼續。

        Gartner表示,在2017年到2018年蟬聯營收龍頭位置的三星電子受記憶體市場情況惡化衝擊、導致半導體事業營收驟減29.1%至522億美元,營收遭英特爾超越退居第2位。

        英特爾受惠2019年下半年適用人工智慧運算的數據中心用CPU需求大增激勵,去年半導體事業營收僅微減0.7%至657億美元,為3年來首度躍居龍頭位置。英特爾在數據中心CPU市場上掌控超過9成的市佔率。

        營收第3-10名的廠商分別為SK海力士、美光、博通高通德州儀器意法半導體、鎧俠和恩智浦半導體。

        諾伍德先生說:「在高庫存清除之後,到2020年,我們預計半導體市場收入將增長,從而推動晶元平均售價的上升,尤其是在存儲器領域。」「隨著我們進入2020年,中美貿易戰似乎正在緩解。但是,在2019年,美國將包括華為在內的幾家中國公司加入了實體名單,限制了美國零部件的銷售。立即產生的影響是促使華為向美國以外的地區尋求替代硅供應商,全資擁有的海思半導體位居榜首,日本,台灣,韓國和中國的替代供應商也位居榜首。這將是2020年值得關注的領域。」

        本文為Gartner英文版翻譯整理而成,與工程師讀者分享。

        收藏 人收藏
        分享:

        評論

        相關推薦

        中國晶元行業彎道超車的策略不現實?

        這一晶元號稱集成的200萬個碳納米晶體管也有很大的水分。該晶元只有氣味感測器中使用了碳納米晶體管,而....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-28 12:08 31次 閱讀
        中國晶元行業彎道超車的策略不現實?

        三星混合現實耳機似乎在正面配備了雙攝像頭

        從圖片中可以看出,三星混合現實耳機似乎在正面配備了雙攝像頭,一個可能是環境攝像頭,另一個用於視頻錄製....
        的頭像 倩倩 發表於 09-28 11:55 33次 閱讀
        三星混合現實耳機似乎在正面配備了雙攝像頭

        三星Galaxy S20風扇版的數據已經泄露

        幾個月來我們一直在談論Galaxy S家族的新成員的到來。對於該品牌的粉絲來說,好消息是該設備將比其....
        的頭像 倩倩 發表於 09-28 11:12 53次 閱讀
        三星Galaxy S20風扇版的數據已經泄露

        三星無線充電器Trio以其功能和新視覺效果向用戶展示

        據透露,該設備可以為三星生產的智能手錶,耳機和智能手機充電。三星在本月舉行的相關活動中並未提供太多有....
        的頭像 倩倩 發表於 09-28 11:05 37次 閱讀
        三星無線充電器Trio以其功能和新視覺效果向用戶展示

        高通公司的驍龍875和三星的Exynos 1000將採用相同的架構設計

        根據著名的提示器Ice Universe的說法,上述晶元組將使用相同的「 1 + 3 + 4」三集群....
        的頭像 倩倩 發表於 09-28 11:01 70次 閱讀
        高通公司的驍龍875和三星的Exynos 1000將採用相同的架構設計

        三星Galaxy F系列預計將很快在印度推出

        三星Galaxy F系列預計將與即將推出的Galaxy F41的規格和設計一起與Galaxy M系列....
        的頭像 倩倩 發表於 09-28 10:53 53次 閱讀
        三星Galaxy F系列預計將很快在印度推出

        海瀾之家投資半導體 是真的嗎

        近日,有網友在用天眼查的時候,發現了一家名叫凱樺康的半導體設備南京有限公司,其註冊資本21.5萬美元....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-28 10:48 139次 閱讀
        海瀾之家投資半導體 是真的嗎

        居龍:是什麼在決定中國半導體的未來

        新冠疫情在全球蔓延,給各國的經濟都帶來了一定的挑戰。在這種大背景之下,全球半導體產業究竟呈現出怎樣的....
        的頭像 中關村集成電路設計園 發表於 09-28 10:29 69次 閱讀
         居龍:是什麼在決定中國半導體的未來

        蘋果設備繼續保持最受信任和令人滿意的狀態

        分數可以滿足筆記本電腦,平板電腦以及台式機等設備的需求,但是當您拆分它們時,Apple和Samsun....
        的頭像 倩倩 發表於 09-28 10:25 62次 閱讀
        蘋果設備繼續保持最受信任和令人滿意的狀態

        爆三星計劃在2021年推出首款五攝智能手機產品

        近日,據外媒SamMobile的消息報道,三星計劃在2021年推出其首款五攝智能手機產品,型號為Ga....
        的頭像 如意 發表於 09-28 10:07 45次 閱讀
        爆三星計劃在2021年推出首款五攝智能手機產品

        第三代半導體 全村的希望

        什麼是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-28 09:52 177次 閱讀
        第三代半導體  全村的希望

        芯馳科技獲5億融資 研發高性能高可靠的車規處理器晶元產品

        9月28日,芯馳科技官方宣布已經完成A輪5億人民幣融資。本輪融資由和利資本領投,經緯中國、中電華登、....
        的頭像 科技觀察者 發表於 09-28 09:39 67次 閱讀
        芯馳科技獲5億融資 研發高性能高可靠的車規處理器晶元產品

        中芯國際發布正式公告,否認收到美國商務部「出口管制」官方消息

        中芯國際今日發布公告,否認收到美國商務部「出口管制」官方消息,並重申只為民用和商用的終端用戶提供產品....
        的頭像 如意 發表於 09-28 09:26 77次 閱讀
        中芯國際發布正式公告,否認收到美國商務部「出口管制」官方消息

        第三代半導體碳化硅 爆髮式增長的明日之星

        看點:第三代半導體碳化硅,爆髮式增長的明日之星。 功率半導體的技術和材料創新都致力於提高能量轉化效率....
        的頭像 感測器技術 發表於 09-27 18:20 589次 閱讀
        第三代半導體碳化硅 爆髮式增長的明日之星

        三星繼續為用戶帶來新設備

        如您所知,粉絲版僅適用於數量有限的手機。三星計劃將來以「 Fan Edition」簽名提供更多旗艦手....
        的頭像 倩倩 發表於 09-27 18:14 246次 閱讀
        三星繼續為用戶帶來新設備

        集成電路機遇與挑戰並存

        集成電路機遇與挑戰並存 我國半導體產業如何實現突圍 隨著數字新基建的大力推進,集成電路產業正迎來新一....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-27 18:14 188次 閱讀
        集成電路機遇與挑戰並存

        三極體及其放大電路的學習課件免費下載

        半導體三極體,也叫晶體三極體。由於工作時,多數載流子和少數載流子都參與運行,因此,還被稱為雙極結型晶....
        發表於 09-27 17:57 46次 閱讀
        三極體及其放大電路的學習課件免費下載

        場效應管及其放大電路的學習課件資料免費下載

        本文檔的主要內容詳細介紹的是場效應管及其放大電路包括了:結型場效應管,金屬-氧化物-半導體場效應管,....
        發表於 09-27 17:57 10次 閱讀
        場效應管及其放大電路的學習課件資料免費下載

        半導體二極體及其基本電路的詳細資料說明

        半導體:導電能力介於導體和絕緣體之間,當受外界光和熱刺激或加入微量摻雜,導電能力顯著增加。  ....
        發表於 09-27 17:57 27次 閱讀
        半導體二極體及其基本電路的詳細資料說明

        中國大陸超過韓國,成為全球第二大半導體設備消費市場

        目前,中國大陸已經超過韓國,成為全球第二大半導體設備消費市場,僅次於中國台灣地區,這給我國本土的半導....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-27 17:46 198次 閱讀
        中國大陸超過韓國,成為全球第二大半導體設備消費市場

        英特爾、高通等晶元企業已經陸續申請希望向華為正常供貨

        9月21日消息,隨著更嚴禁令的實行,華為目前已經被多家晶元廠商斷供,而這樣的局面何時能夠改變,沒有具....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-27 17:24 260次 閱讀
        英特爾、高通等晶元企業已經陸續申請希望向華為正常供貨

        三星加快QD轉型三星顯示(SDC)正按既定節奏退出LCD事業

        9月24日,韓國產業通商資源部舉行了「第27次事業重組計劃審議委員會」,審議並批准了15家企業的事業....
        發表於 09-27 17:14 267次 閱讀
        三星加快QD轉型三星顯示(SDC)正按既定節奏退出LCD事業

        我國半導體材料產業鏈正歷經重大變革

        現在全球半導體行業處於2015年以來的新一輪景氣周期的震蕩下行階段。根據Wind消息,台積電CEO魏....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-27 17:00 357次 閱讀
        我國半導體材料產業鏈正歷經重大變革

        洲明Mini/Micro LED技術突破

        近日,世界半導體大會暨第三代半導體產業發展高峰論壇上,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-27 16:55 137次 閱讀
        洲明Mini/Micro LED技術突破

        三星似乎正在為世界移動大會做準備

        有傳言稱,三星計劃在MWC上推出10英寸和7英寸版本的Galaxy Tab。從照片來看,這款7英寸機....
        的頭像 倩倩 發表於 09-27 16:44 155次 閱讀
        三星似乎正在為世界移動大會做準備

        英特爾推出高速16GB內存套裝並進行高速套裝燒機測試

        芝奇表示,16GB×2大容量內存已成為許多高端玩家的新選擇,而DDR4-4400 CL16 16GB....
        的頭像 lhl545545 發表於 09-27 16:15 212次 閱讀
        英特爾推出高速16GB內存套裝並進行高速套裝燒機測試

        功率半導體歐美日三足鼎立,國產替代正當時

        功率半導體呈供需嚴重不匹配的格局,歐美日的功率器件產量佔全球的 70%,中國是全球最大的功率器件市場....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-27 16:12 431次 閱讀
        功率半導體歐美日三足鼎立,國產替代正當時

        MCU市場的下一個十年會是怎樣的?

        從系統和架構上看,本土MCU供應商中,華大佔了低功耗M0+的坑,兆易創新搶了M3/M4的先機。至於其....
        發表於 09-27 16:05 151次 閱讀
        MCU市場的下一個十年會是怎樣的?

        高雲半導體發布最新版本GoAI機器學習平台

        使用GoAI 2.0,無需FPGA RTL或微處理器C/C++編程。GoAI 2.0 SDK自動生成....
        的頭像 高雲半導體 發表於 09-27 15:58 154次 閱讀
        高雲半導體發布最新版本GoAI機器學習平台

        AMD、英特爾以及微軟在去年年底的時候就已經拿到了延長供貨的許可

        9月22日消息,據供應鏈消息稱,AMD、英特爾以及微軟並不會因為這次的禁令受到影響,換句話說就是,這....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-27 15:31 275次 閱讀
        AMD、英特爾以及微軟在去年年底的時候就已經拿到了延長供貨的許可

        利揚晶元受邀出席第23屆中國集成電路製造年會(CICD 2020)

        9月17日至18日,第23屆中國集成電路製造年會(CICD 2020)暨台湾集成電路產業發展論壇在廣....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-27 15:23 151次 閱讀
        利揚晶元受邀出席第23屆中國集成電路製造年會(CICD 2020)

        國內模擬IC市場發展現狀分析

        安森美由2014年的4%,變成了2018年的11%,這主要還是得益於其在過去兩年的收購,其收購了飛兆....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-27 15:15 244次 閱讀
        國內模擬IC市場發展現狀分析

        韓國三星公司一舉實現在越南的「搶灘登陸」

        二是尋求可靠市場。在華銷售經營的受挫也是三星傾力南遷的原因之一。遲至2010年前後,三星電子製品始終....
        的頭像 電籽邦 發表於 09-27 15:08 267次 閱讀
        韓國三星公司一舉實現在越南的「搶灘登陸」

        三星電機開發新款超微型功率電感器,目前「世界上最小的電感器」

        三星電機新開發了一款超微型功率電感器,應對當前終端設備大電流、高功率、小型化的需求,三星電機稱該款產....
        的頭像 牽手一起夢 發表於 09-27 14:57 211次 閱讀
        三星電機開發新款超微型功率電感器,目前「世界上最小的電感器」

        英偉達對ARM的併購存在一定的變數

        世界上主要有兩大架構,一類是英特爾,一類是ARM。「ARM原來是英國公司,後來日本控股了,現在美國已....
        發表於 09-27 14:50 190次 閱讀
        英偉達對ARM的併購存在一定的變數

        兩大巨頭開始行動 片行業將迎「變革」

        作為目前世界上的頂尖晶圓體代工廠,台積電的實力可以說是相當強悍,不管是美國企業還是國產企業,大部分都....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-27 14:18 99次 閱讀
        兩大巨頭開始行動 片行業將迎「變革」

        了解EUV光刻技術在我國半導體晶元技術現狀與差距

        就晶元製造領域台積電無疑是世上最強企業,強大的技術與產能的領先保證了其領頭地位。不過這一切都建立在運....
        的頭像 lhl545545 發表於 09-27 14:07 498次 閱讀
        了解EUV光刻技術在我國半導體晶元技術現狀與差距

        台積電已擴大與南韓三星電子的差距

        據韓媒 BusinessKorea 報道,全球最大晶元代工廠台積電已擴大與南韓三 星電子的差距,而三....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表於 09-27 14:03 185次 閱讀
        台積電已擴大與南韓三星電子的差距

        日本:中國實現半導體行業的自給自足和全球領導地位目標很遙遠

        近日,日本媒體The Diplomat Magazine(《日本外交學者雜誌》)撰寫《中國半導體崛起....
        的頭像 如意 發表於 09-27 14:01 380次 閱讀
        日本:中國實現半導體行業的自給自足和全球領導地位目標很遙遠

        英偉達正式宣布將以400億美元從軟銀手中收購ARM

        此次合併將NVIDIA領先的AI計算平台與Arm廣闊的生態系統結合在一起,創建了人工智慧時代的頂級計....
        的頭像 皇華電子元器件IC供應商 發表於 09-27 13:46 409次 閱讀
        英偉達正式宣布將以400億美元從軟銀手中收購ARM

        寬頻軌電壓旁路的電容串聯諧振

        電容並不僅僅局限於其字面意思。在低於其串聯諧振的頻率下,電容會對電激勵表現出容性阻抗。而在高於其串聯....
        發表於 09-27 13:07 134次 閱讀
        寬頻軌電壓旁路的電容串聯諧振

        英特爾對處理器的功耗控制推出了更為直觀的Evo平台概念

        優化后的工藝也迎來了更為優秀的英特爾銳炬XeLP架構核顯,iGPU的執行單元EU數量達到了96個,相....
        的頭像 lhl545545 發表於 09-27 12:07 183次 閱讀
        英特爾對處理器的功耗控制推出了更為直觀的Evo平台概念

        封測行業競爭日益激烈,誰會是最終的贏家?

        根據中芯國際的發展進程來看,除了14nm及改進型12nm工藝之外,今年底前中芯國際還會試產N+1代工....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-27 11:59 429次 閱讀
        封測行業競爭日益激烈,誰會是最終的贏家?

        台積電將統治全球的5nm產業鏈?

        對於晶圓代工廠來說,要進行5nm製程的晶元製造,除了工藝技術和設備之外,相應的半導體材料、配件,以及....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-27 11:41 385次 閱讀
        台積電將統治全球的5nm產業鏈?

        高通的晶元可解決華為的手機「缺芯」難題?

        首先,AMD這一方面已經獲得了為華為供貨的許可證。其次,除了AMD之外,另外一家同樣為美的英特爾,也....
        的頭像 lhl545545 發表於 09-27 11:40 191次 閱讀
        高通的晶元可解決華為的手機「缺芯」難題?

        第三代半導體材料的成長將成為趨勢

        也因為第三代半導體材料後市看俏,所以也有不少廠商很早就開始投入研發,可望成為下一代的明日之星,惟就業....
        的頭像 我快閉嘴 發表於 09-27 11:37 528次 閱讀
        第三代半導體材料的成長將成為趨勢

        比亞迪半導體和斯達半導體為國產車規級IGBT的發展增添實力

        在加快新材料產業強弱項、加快新能源產業跨越式發展方面,又分彆強調了將圍繞微電子製造等加快在光刻膠、高....
        的頭像 lhl545545 發表於 09-27 11:27 498次 閱讀
        比亞迪半導體和斯達半導體為國產車規級IGBT的發展增添實力

        新型半導體器件2BT100固體放電管的設計資料說明

        本文簡要闡述了新型半導體器件 2BT100 固體放電管的研製, 在設計上採取了多元胞結構, 在製作上....
        發表於 09-27 08:00 38次 閱讀
        新型半導體器件2BT100固體放電管的設計資料說明

        半導體器件物理

        半導體器件物理(胡正明)
        發表於 09-22 19:57 0次 閱讀
        半導體器件物理

        智芯半導體推出 磁吸軌道燈 調光調色雙色溫 DALI智能調光 HI7001

        Hi7001 是一款外圍電路簡單的多功能平均電流型LED 恆流驅動器,適用於 5-100V 電壓範圍的降壓BUCK 大功率調光恆流 LE...
        發表於 09-11 14:23 101次 閱讀
        智芯半導體推出 磁吸軌道燈 調光調色雙色溫  DALI智能調光 HI7001

        TVS二極體與TSS固態放電管的區別分析

                                  通常...
        發表於 09-08 14:24 162次 閱讀
        TVS二極體與TSS固態放電管的區別分析

        5G工程師必備半導體測試指南!

        [摘要]我們​知道​測試​寬​帶​5G IC​非常​有​挑戰​性,​因而​撰寫​了​《5G​半導體​測試​工程​師​指南》​來...
        發表於 09-01 15:41 505次 閱讀
        5G工程師必備半導體測試指南!

        如何用半導體製冷片製作小冰箱?

        想用半導體製冷片製作小冰箱,需要用到大功率電源,半導體製冷片,還有散熱系統,單片機控制系統,能調溫度,還能顯示溫度,具體...
        發表於 08-27 08:07 0次 閱讀
        如何用半導體製冷片製作小冰箱?

        dram_init函數哪裡找?

        先準備在DVSDK的基礎上移植u-boot,由於更換了DDR,因此要修該DDR的參數,但我找不到dram_init函數在哪一個文件里:搜...
        發表於 08-17 11:19 0次 閱讀
        dram_init函數哪裡找?

        在移動領域,ARM在哪些方面領先英特爾

        現在移動領域絕大多數用的 ARM 提供的晶元授權,就連 iPhone 先是直接從三星(三星的也經過 ARM 授權)那裡買,後來直接用...
        發表於 07-17 06:32 304次 閱讀
        在移動領域,ARM在哪些方面領先英特爾

        一款通用的半導體參數測量工具軟體分享

          FastLab是一款通用半導體參數測量工具軟體,主要用於在半導體實驗室中協同探針台與測量儀器進行自動化的片上半導體器件的I...
        發表於 07-01 09:59 400次 閱讀
        一款通用的半導體參數測量工具軟體分享

        PDK 驗證軟體PQLab的優勢和技術指標

          PQLab是供半導體代工廠和設計公司自動驗證PDK (Process Design Kit)/FDK (Process Design Kit)的工具軟體...
        發表於 07-01 09:54 419次 閱讀
        PDK 驗證軟體PQLab的優勢和技術指標

        蘋果MAC徹底不用英特爾晶元需要多長時間

          台湾時間23日凌晨1點,蘋果WWDC2020大會開幕。蘋果公司宣布Mac電腦將轉向公司自研晶元,演示樣機的iMac使用的是A12Z...
        發表於 06-23 09:30 415次 閱讀
        蘋果MAC徹底不用英特爾晶元需要多長時間

        LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

        LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件採用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用於對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,並且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用於成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓範圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬頻雜訊:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規範:2 kV HBM 擴展溫度範圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 通用 運算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
        發表於 01-08 17:51 1324次 閱讀
        LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

        TLV9052 5MHz、15-V/µs 高轉換率 RRIO 運算放大器

        TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用於需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易於使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬頻雜訊:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用於低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由於電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度範圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 通用 運算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
        發表於 01-08 17:51 293次 閱讀
        TLV9052 5MHz、15-V/µs 高轉換率 RRIO 運算放大器

        TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度感測器

        TMP422是具有內置本地溫度感測器的遠程溫度感測器監視器。遠程溫度感測器具有二極體連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極體。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串列介面接受SMBus寫位元組,讀位元組,發送位元組和接收位元組命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大範圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極體錯誤檢測。 TMP422採用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極體感測器(最大值) ±2.5°C本地溫度感測器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重介面地址 二極體故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比 數字溫度感測器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
        發表於 01-08 17:51 244次 閱讀
        TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度感測器

        LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

        LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平台用於汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串列介面和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(採用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度範圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相採用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作採用兩相配置的遠...
        發表於 01-08 17:51 295次 閱讀
        LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

        TPS3840 具有手動複位和可編程複位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

        TPS3840系列電壓監控器或複位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度範圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低於負電壓閾值(V IT - )或手動複位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動複位( MR )時,複位信號被清除)浮動或高於V MR _H ,複位時間延遲(t D )到期。可以通過在CT引腳和地之間連接一個電容來編程複位延時。對於快速複位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電複位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用於工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
        發表於 01-08 17:51 568次 閱讀
        TPS3840 具有手動複位和可編程複位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

        INA240-SEP 採用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

        INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降範圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑製為使用脈衝寬度調製(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件採用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個製造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度範圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用於低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
        發表於 01-08 17:51 209次 閱讀
        INA240-SEP 採用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

        LM96000 具有集成風扇控制的硬體監控器

        LM96000硬體監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字介面。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極體連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率範圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用於測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串列數字介面 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極體 基於溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的雜訊過濾 1.0°C數字溫度感測器解析度 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率範圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
        發表於 01-08 17:51 391次 閱讀
        LM96000 具有集成風扇控制的硬體監控器

        LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極體數字溫度感測器

        LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極體溫度感測器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極體連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極體的溫度。 LM63遠程溫度感測器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極體的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用於校正由其他熱二極體的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈衝寬度調製(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用於靜音聲學風扇雜訊。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極體連接2N3904晶體管或熱二極體 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極體的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用於 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用於測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用於測量典型應用中脈衝寬度調製功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
        發表於 01-08 17:51 594次 閱讀
        LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極體數字溫度感測器

        AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單晶元汽車雷達感測器

        AWR1843器件是一款集成的單晶元FMCW雷達感測器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件採用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝製造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達感測器單晶元解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達感測器。它基於TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用於雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用於汽車介面。硬體加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,並可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的演算法。簡單的編程模型更改可以實現各種感測器實現(短,中,長),並且可以動態重新配置以實現多模感測器。此外,該設備作為完整的平台解決方案提供,包括參考硬體設計,軟體驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
        發表於 01-08 17:51 1440次 閱讀
        AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單晶元汽車雷達感測器

        OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

        OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低雜訊,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩衝高解析度數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度範圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低雜訊:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f雜訊:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
        發表於 01-08 17:51 461次 閱讀
        OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

        TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

        TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用於需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗感測器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件採用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相併且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作並可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度範圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)採用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)採用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1採用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
        發表於 01-08 17:51 175次 閱讀
        TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

        DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

        DRV5021器件是一款用於高速應用的低壓數字開關霍爾效應感測器。該器件採用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,並根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直於封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小於磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯後有助於防止輸入雜訊引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗雜訊干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度範圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾感測器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 範圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度範圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 霍爾效應鎖存器和開關   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
        發表於 01-08 17:51 315次 閱讀
        DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

        TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

        TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源範圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極體控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用於驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,採用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度範圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源範圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模範圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
        發表於 01-08 17:51 322次 閱讀
        TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

        TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度感測器

        這個遠程溫度感測器通常採用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極體,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程感測器均用12位數字編碼表示溫度,解析度為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分散式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度感測器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓範圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度範圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
        發表於 01-08 17:51 346次 閱讀
        TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度感測器

        LP87524P-Q1 用於 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

        LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平台的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串列介面和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強製為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器複位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
        發表於 01-08 17:51 471次 閱讀
        LP87524P-Q1 用於 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

        TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

        TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共匯流排 2 C介面。 TAS2562器件採用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑通道雜訊 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz採樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行並點...
        發表於 01-08 17:51 510次 閱讀
        TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

        LM358B 雙路運算放大器

        LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地範圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用於最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件採用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源範圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓範圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
        發表於 01-08 17:51 549次 閱讀
        LM358B 雙路運算放大器

        LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

        LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平台的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串列介面和使能信號進行控制。 自動脈寬調製(PWM)到脈頻調製(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用於控制外部穩壓器,負載開關和處理器複位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度範圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
        發表於 01-08 17:51 285次 閱讀
        LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

        LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

        LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,並且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,並且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列採用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用於成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓範圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬頻雜訊:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度範圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 通用 運算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
        發表於 01-08 17:51 293次 閱讀
        LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

        LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

        LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平台的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串列介面和使能信號進行控制。 自動脈寬調製(PWM)到脈頻調製(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用於控制外部穩壓器,負載開關和處理器複位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度範圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
        發表於 01-08 17:51 318次 閱讀
        LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
        <button id="jqnqz"><acronym id="jqnqz"></acronym></button>

        <dd id="jqnqz"></dd>
        <button id="jqnqz"></button>
            1. <progress id="jqnqz"></progress>
              <tbody id="jqnqz"><track id="jqnqz"></track></tbody>
              <em id="jqnqz"><tr id="jqnqz"></tr></em>